金屬保護(hù)膜的發(fā)展

發(fā)布日期：2025-05-01  來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 作者：admin 瀏覽次數(shù)：625
核心提示：核心提示：隨著IC工業(yè)進(jìn)人超大規(guī)模集成電路(ULSI)階段，金屬保護(hù)膜發(fā)展成為微電子工業(yè)的重要材料。
隨著IC工業(yè)進(jìn)人超大規(guī)模集成電路(ULSI)階段，金屬保護(hù)膜發(fā)展成為微電子工業(yè)的重要材料。 金屬保護(hù)膜發(fā)展其在集成電路中主要用于低阻姍電極(gate electrode)擴(kuò)肖特基接觸(Schottky barrier contact)、歐姆接觸(Ohmic contact)以及器件間互連(inter-connect)例如，把或鉑的薄膜材料常被用于化學(xué)傳感器的催化劑，鐵或鉻薄膜材料可作為黏附層，使金等貴重金屬很好地與基底粘附；鎳和鉻薄膜常用作刻蝕掩模；銅膜則經(jīng)常被用于金和鎳下的犧牲層材料等。 金屬保護(hù)膜發(fā)展其性能(如電阻率、應(yīng)力、相、附著力及表面形態(tài)等)受薄膜沉積工藝和工藝設(shè)備的影響非常大，不是任何一種金屬保護(hù)膜材料都可以用任何一種沉積方法來(lái)制備的。 保護(hù)膜材料的電阻率往往高于同種材質(zhì)的塊狀材料。一般而言，薄膜材料的電阻率是相應(yīng)塊狀材料的1.5~2倍，而保護(hù)膜中常常要求較低的電阻率。合金和金屬化合物的電阻率通常比金屬保護(hù)膜高得多，并且沉積工藝對(duì)其電阻率的影響更大。
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